(Korea = KTN) Reporter Kim Do-hyung = Cambridge GaN Devices (CGD), which leads innovation in the power and electronics sector with energy-efficient semiconductor technology based on Gallium Nitride (GaN), has successfully attracted a $32 million Series C investment. Through this investment attraction, CGD plans to expand its operations in North America, Taiwan, and Europe as well as Cambridge.

The investment was led by British Patient Capital (BPC), with existing investors Parkwalk, BGF, Cambridge Innovation Capital (CIC), Foresight Group and IQ Capital.

Power Electronics Innovation with GaN

GaN-based devices are accelerating the development of power electronics by enabling faster switching speed, lower energy consumption, and more compact design than conventional silicon semiconductors. CGD's proprietary monolithic ICEGaN® technology provides high efficiency of more than 99%, and can achieve energy savings of up to 50% in high-power applications such as electric vehicles and data center power supplies.

Dr. Giorgia Longobardi, founder and CEO of CGD, said, "This investment attraction will be an important turning point for CGD. Our goal is to innovate the power and electronics industry and realize sustainable power and electronics technology with efficient GaN solutions. We will fully enter the automobile market through cooperation with strategic investment companies."

Market opportunities and growth potential

The global GaN power device market is expected to reach USD 2 billion by 2029, recording an annual average growth rate (CAGR). CGD's ICeGaN technology is attracting attention as a promising technology that can replace silicon carbide (SiC) with high energy efficiency, miniaturization, and monolithic integrated smart functions.

"This investment will greatly aid us in fulfilling our existing customer agreements for CGD's latest generation of P2 products. In addition, it will be an important opportunity to further strengthen our capabilities to meet the growing demand for GaN solutions," said Henryk Dabrowski, Senior Vice President of Sales at CGD.

Global Expansion and Future Vision

CGD is providing solutions to reduce energy consumption, reduce costs, and minimize environmental impact based on GaN technology leadership amid global electrification and sustainability trends. Through this investment, CGD plans to expand its operations in Cambridge, North America, Taiwan, and Europe, and continue to expand the supply of high-efficiency GaN products aimed at the automotive and data center markets.

John Pearson, Chief Investment Officer, Parkwalk Advisors, said, "CGD is leading the state-of-the-art technology that can reduce the energy demand of fast-growing industries such as AI and electric mobility. We are excited to further accelerate CGD's global expansion through this investment."

"CGD has demonstrated the value of semiconductor technology through years of research. CGD's GaN devices consume less energy than silicon-based products, and can contribute to cost savings and environmental protection. With this investment, we will support long-term technology expansion."

CGD plans to lead the development of the power semiconductor industry through continuous technological innovation and global expansion and build strong competitiveness in the future power electronics market.

https://www.camgandevices.com

CGD, 글로벌 전력 반도체 산업 주도 위해 3,200만 달러 투자 유치

케임브리지 대학교 스핀아웃 기업, 글로벌 확장 가속화

GaN(Gallium Nitride) 기반의 에너지 효율적인 반도체 기술로 전력 전자 분야의 혁신을 이끄는 Cambridge GaN Devices(CGD)가 3,200만 달러 규모의 시리즈 C 투자 유치를 성공적으로 마무리했다. 이번 투자 유치를 통해 CGD는 케임브리지뿐만 아니라 북미, 대만, 유럽 등에서의 운영을 확장할 계획이다.

이번 투자는 BPC(British Patient Capital)가 주도했으며, 기존 투자자인 파크워크(Parkwalk), BGF, CIC(Cambridge Innovation Capital), 포사이트 그룹(Foresight Group), IQ 캐피털(IQ Capital)이 참여했다.

GaN을 통한 전력 전자 혁신

GaN 기반 디바이스는 기존 실리콘 반도체보다 빠른 스위칭 속도, 낮은 에너지 소비, 더 컴팩트한 설계를 가능하게 해 전력 전자 분야의 발전을 가속화하고 있다. CGD의 독보적인 모놀리식 ICeGaN® 기술은 99% 이상의 높은 효율성을 제공하며, 전기차 및 데이터센터 전원공급장치 등의 고전력 애플리케이션에서 최대 50%의 에너지 절감 효과를 실현할 수 있다.

CGD의 창업자이자 CEO인 조르지오 롱고바르디(Giorgia Longobardi) 박사는 "이번 투자 유치는 CGD에게 중요한 전환점이 될 것이다. 효율적인 GaN 솔루션으로 전력 전자 산업을 혁신하고 지속가능한 전력 전자 기술을 실현하는 것이 우리의 목표다. 전략적 투자사들과의 협력을 통해 자동차 시장 진출을 본격화할 것"이라고 밝혔다.

시장 기회와 성장 가능성

글로벌 GaN 전력 디바이스 시장은 연평균 성장률(CAGR) 41%를 기록하며 2029년까지 20억 달러 규모에 이를 것으로 전망된다. CGD의 ICeGaN 기술은 높은 에너지 효율성과 소형화 및 모놀리식 통합 스마트 기능을 갖춰 실리콘 카바이드(SiC)를 대체할 수 있는 유망 기술로 주목받고 있다.

CGD의 세일즈 부문 수석 부사장인 헨릭 다브로브스키(Henryk Dabrowski)는 "이번 투자를 통해 CGD의 최신 세대 P2 제품에 대한 기존 고객 계약을 이행하는 데 큰 도움이 될 것이다. 또한, 증가하는 GaN 솔루션 수요를 충족하는 역량을 더욱 강화하는 중요한 계기가 될 것"이라고 말했다.

글로벌 확장과 미래 비전

CGD는 전 세계적인 전기화 및 지속가능성 추세 속에서 GaN 기술 리더십을 바탕으로 에너지 소비 절감, 비용 절감, 환경 영향 최소화를 위한 솔루션을 제공하고 있다. 이번 투자를 통해 CGD는 케임브리지, 북미, 대만, 유럽에서의 운영을 확장하고, 자동차 및 데이터센터 시장을 겨냥한 고효율 GaN 제품 공급을 지속적으로 확대할 계획이다.

파크워크 어드바이저스(Parkwalk Advisors)의 최고투자책임자(CIO)인 존 피어슨(John Pearson)은 "CGD는 AI와 전기 모빌리티와 같은 급성장 산업의 에너지 수요를 줄일 수 있는 최첨단 기술을 선도하고 있다. 이번 투자를 통해 CGD의 글로벌 확장을 더욱 가속화할 수 있게 되어 기쁘다"고 밝혔다.

BPC(British Patient Capital)의 딥테크, 직접 및 공동 투자 책임자인 조지 밀스(George Mills) 디렉터는 "CGD는 수년간의 연구를 통해 반도체 기술의 가치를 입증했다. CGD의 GaN 디바이스는 실리콘 기반 제품보다 에너지 소비가 적고, 비용 절감 및 환경 보호에 기여할 수 있다. 이번 투자를 통해 장기적인 기술 확장을 지원할 것"이라고 언급했다.

CGD는 지속적인 기술 혁신과 글로벌 확장을 통해 전력 반도체 산업의 발전을 주도하며, 미래 전력 전자 시장에서 강력한 경쟁력을 구축해 나갈 계획이다.

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